SUSS MJB4

  • Описание

Ручная установка совмещения и экспонирования для контактной литографии базового уровня. Обработка пластин до 100мм

Основные возможности:

  • Экспонирование высокого разрешения – до 0,5 микрон
  • Размер обработки пластин и подложек - до 100 мм диаметром (пластины) и до 100х100 мм (подложки).
  • Специальные держатели для кусков пластин, А3-Б5, толстых подложек, гибридных схем и ВЧ
  • Высокоточная юстировка на плоскости и манипулятора микроскопа
  • Возможность конфигураций оптики интенсивной УФ и экспозиций с длиной волны до 80 мВт/см2
  • Минимальные затраты на обучение операторов установки
  • Продуманная эргономика
  • Графический интерфейс пользователя управляет функциями установки со специального экрана, чувствительного к нажатиям
  • Легкий доступ ко всем элементам установки
  • При необходимости устанавливается лазерное оборудование

Литографическое производство микросхем происходит с помощью установки совмещения и экспонирования. Для НИОКР и пилотных производств мы можем предложить установку контактной литографии микросхем SUSS MJB4,предшественницей которой была популярная SUSS MJB3. Новая установка контактной литографии микросхем унаследовала от предшественницы непревзойденное удобство в работе и обслуживании и получила усовершенствования, позволяющие работать на субмикронном разрешении.

Среди преимуществ системы литографии микросхем можно отметить:

  • Экспонирование высокого разрешения – до 0,5 микрон
  • Размер обработки пластин и подложек - до 100 мм диаметром(пластины) и до 100 х 100 мм (подложки).
  • Специальные держатели для кусков пластин, А3-Б5, толстых подложек, гибридных схем и ВЧ
  • Высокоточная юстировка на плоскости и манипулятора микроскопа
  • Возможность конфигураций оптики интенсивной УФ и экспозиций с длиной волны до 80 мВт/см2
  • Минимальные затраты на обучение операторов установки
  • Продуманная эргономика
  • Графический интерфейс пользователя управляет функциями установки со специального экрана, чувствительного к нажатиям
  • Легкий доступ ко всем элементам установки
  • При необходимости устанавливается лазерное оборудование

Установка обеспечивает следующие методы контакта:

Низковакуумный

Для маленьких и хрупких подложек используется экспонирование при низковакуумном контакте. При этом виде контактирования снижается нагрузка по подложку. Достигается разрешение, превышающее параметры при мягком и жестком контакте.

Мягкий контакт

При этом виде контактирования MJB4 может достигать разрешения в 2,0 микрона.

Жесткий контакт

При этом методе зазор между шаблоном и пластиной еще меньше благодаря поддуву азота под пластиной. Пластина прижимается плотней к шаблону иразрешение может достигать 1 микрона.

Вакуумный контакт

MJB4 может работать в режиме вакуумного контакта, позволяя достигнуть субмикронного разрешения. Для более высокого разрешения повышаются требования и к подборке фоторезиста.

Контакт с зазором

Хотя MJB4 и не рассматривается как система совмещения с зазором, метод контактирования gap printing позволяет производить экспонирование с зазором до 50 микрон после предварительного совмещения маски и подложки. Это позволяет избежать быстрого износа фотошаблона

Оптика в установке

SUSS MicroTec предлагает набор конфигураций оптики, позволяющей снизить дифракцию экспонирования при различных спектрах длины волны. Дифракция – очень важный фактор в улучшении разрешения и улучшения формирования оптимальных боковых срезов в фоторезисте.

SUSS-MJB4_01

Конструкция установки литографии микросхем

SUSS-MJB4_02
  1. Держатель маски.
  2. Маска.
  3. Подложка
  4. Столик для подложки
  5. Модуль столика
  6. Шпиндель
  7. Прецизионная подача на подшипниках
  8. Пневматический тормоз
  9. Выравнивающие пружины

Микроскопы

SUSS-MJB4_03

Высокая точность совмещения достигается за счет использования микроскопов. Стандартное верхнее совмещение выполняется с микроскопом M604 двойного поля. Оборудованный 10-кратным объективом, он позволяет одновременный обзор шаблона и пластины. Для совмещения маленьких подложек может использоваться более экономная версия микроскопа М500 одного поля. Оба микроскопа позволяют достигнуть разрешения до 1 микрона и ниже. Для ручного совмещения обычно используется полная глубина фокуса объектива.

Для субмикронного совмещения нет необходимости определять субмикронные структуры. Для высокой точности совмещения используется специальные 20-кратные объективы. Они компенсируют просмотр через шаблон.

Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support
Нужна помощь специалиста?
Оставьте ваш номер и мы вам перезвоним:
Отправить
© 2018 НижПромИнжиниринг
Создание интернет-магазинов — Сайт52
Фильтр
Закрыть
Купить в 1 клик